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讓SMT少一些普通工藝問(wèn)題

發(fā)布時(shí)間:2016-06-14 08:00:09 分類:行業(yè)新聞

 大多數(shù)公司現(xiàn)在正在使用表面貼裝技術(shù)(smt),同時(shí)又向球柵陣列(BGA)、芯片規(guī)模包裝(CSP)和甚至倒裝芯片裝配邁進(jìn)。但是,一些公司還在使用通孔技術(shù)。通孔技術(shù)的使用不一定是與成本或經(jīng)驗(yàn)有關(guān) - 可能只是由于該產(chǎn)品不需要小型化。許多公司繼續(xù)使用傳統(tǒng)的通孔元件,并將繼續(xù)在混合技術(shù)產(chǎn)品上使用這些零件。本文要看看一些不夠普遍的工藝問(wèn)題。希望傳統(tǒng)元件裝配問(wèn)題年 及其實(shí)際解決辦法將幫助提供對(duì)在今天的制造中什么可能還會(huì)出錯(cuò)的洞察。

  靜電對(duì)元件的破壞
靜電是一種客觀的自然現(xiàn)象,產(chǎn)生的方式很多,如接觸、磨擦、沖流等等。其產(chǎn)生的基本過(guò)程可歸納為:接觸 → 電荷 → 轉(zhuǎn)移 → 偶電層形成 → 電荷分離。 
設(shè)備或人體上的靜電高可達(dá)數(shù)萬(wàn)伏以至數(shù)十萬(wàn)伏,在正常操作條件下也常達(dá)數(shù)百至數(shù)千伏。人體由于自身的動(dòng)作及與其它物體的接觸-分離、磨擦或感應(yīng)等因素,可以帶上幾千伏甚至上萬(wàn)伏的靜電。靜電是正、負(fù)電荷在局部范圍內(nèi)失去平衡的結(jié)果。(smtsh.cn/ target=_blank class=infotextkey>上海smt)它是一種電能,留存在物體表現(xiàn),具有高電位、低電量、小電流和作用時(shí)間短的特點(diǎn)。 
靜電控制的主要措施有:靜電的泄漏和耗散、靜電中和、靜電屏蔽與接地、增濕等。靜電放電引起的元器件擊穿損害是電子工業(yè)普遍、嚴(yán)重的靜電危害,它分硬擊穿和軟擊穿。硬擊穿是一次性造成元器件介質(zhì)擊穿、燒毀或永久性失效;軟擊穿則是造成器件的性能劣化或參數(shù)指標(biāo)下降。

  靜電敏感元器件和印制電路板在生產(chǎn)過(guò)程中工序之間的傳遞和儲(chǔ)放,必須使用防靜電上料箱、元件盒、周轉(zhuǎn)箱、周轉(zhuǎn)托盤(pán)等。以防止靜電積累造成危害。靜電敏感元器件和印制電路板,作為成品進(jìn)行包裝時(shí)必須采用防靜電屏蔽袋、包裝袋、包裝盒、條、筐等,避免運(yùn)輸過(guò)程中的靜電損害。 
電子產(chǎn)品在生產(chǎn)過(guò)程中,其元器件、組件成品經(jīng)常與設(shè)備工具等發(fā)生接觸、分離,磨擦而產(chǎn)生靜電,必須使用防靜電坐墊、周轉(zhuǎn)小車、維修包、工具、工作椅(凳)等,并通過(guò)適當(dāng)?shù)慕拥?,使靜電迅速泄放。 磨擦起電和人體靜電是電子、微電子工業(yè)中的兩大危害源,(smtsh.cn/ target=_blank class=infotextkey>上海smt)但產(chǎn)生靜電并非危害所在,危害在于靜電積累及由此產(chǎn)生的靜電電荷放電,因此必須予以控制。 

  帶靜電的物體,在其周圍形成靜電場(chǎng),會(huì)產(chǎn)生力學(xué)效應(yīng),放電效應(yīng)和靜電感應(yīng)效應(yīng)。由于靜電的力學(xué)效應(yīng),空氣中的浮游的塵粒會(huì)吸附到硅片等電子元器件上,嚴(yán)重影響電子產(chǎn)品的質(zhì)量,因此,對(duì)凈化工作空間必須采取防靜電措施。凈化室的墻壁、天花板和地板等都應(yīng)采用防靜電的不發(fā)塵材料,對(duì)操作人員及工件、器具也應(yīng)采取一系列的靜電防護(hù)措施。

  為了解生產(chǎn)過(guò)程靜電起電情況,判別生產(chǎn)過(guò)程中靜電的影響程度以及檢驗(yàn)靜電防護(hù)用品、裝備質(zhì)量都需要測(cè)量靜電及有關(guān)參數(shù)。靜電的測(cè)量,主要是對(duì)靜電電壓、材料電阻、接地電阻、靜電關(guān)衰期、靜電電量、(smt)靜電消除器消電性能、布料電荷面密度等的測(cè)量。 

靜電防護(hù)工作是一項(xiàng)系統(tǒng)工程,任何環(huán)節(jié)的疏漏或失誤,都將導(dǎo)致靜電防護(hù)工作的失敗,必須時(shí)時(shí)防范,人人防范。

  我們使用光學(xué)照片與掃描電子顯微鏡(SEM, scanning electron microscopy)看到在一個(gè)硅片表面上的靜電擊穿。靜電放電,引入到一個(gè)引腳,引起元件的工作狀態(tài)的改變,導(dǎo)致系統(tǒng)失效。在實(shí)驗(yàn)室對(duì)靜電放電的模擬也能夠顯示實(shí)時(shí)發(fā)生在芯片表面的失效。 
靜電可能是一個(gè)問(wèn)題,解決辦法是一個(gè)有效的控制政策。手腕帶是初重要的防御。

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